发明名称 主动矩阵基板;ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
摘要 主动矩阵基板(100)系包含设置有复数个像素之显示区域(R1)、及设置于显示区域之周围之边框区域(R2),且具备于边框区域中构成驱动电路之复数个周边电路TFT(5),复数个周边电路TFT之各者系具有闸极电极(12)、源极电极(16)、汲极电极(18)、及氧化物半导体层(14),且于复数个周边电路TFT中之至少一部分中,非对称地形成有氧化物半导体层与源极电极之连接区域即源极连接区域(Rs)、及氧化物半导体层与汲极电极之连接区域即汲极连接区域(Rd)。
申请公布号 TW201535692 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW104105160 申请日期 2015.02.13
申请人 夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA 发明人 富田雅裕 TOMIDA, MASAHIRO;上田直树 UEDA, NAOKI
分类号 H01L27/12(2006.01);H01L29/78(2006.01);G02F1/1362(2006.01) 主分类号 H01L27/12(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文林宗宏
主权项
地址 日本 JP