半导体配置及其形成方法;SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

本揭露提供一种半导体配置及其形成方法。该半导体配置包括一内连线，其包括一内连线金属栓，为一第二金属层所包围。该内连线邻近一介电层之一侧壁，使得该内连线与该介电层之该侧壁之间形成一气隙。一保护阻障层，于该内连线与该气隙上，并覆盖该介电层之一上表面，且直接与该介电层之该上表面物理性接触。被该第二金属层包围之该内连线金属栓较未被一第二金属层包围之一内连线金属栓不易受损。该保护阻障层直接与该介电层物理性接触之半导体配置较未有一保护阻障层直接与一介电层物理性接触之一半导体配置具有更低寄生电容，可降低RC延迟。