非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种可提高动作可靠性之非挥发性半导体记忆装置。;实施形态之非挥发性半导体记忆装置包括对第1记忆胞至第4记忆胞一次地进行抹除动作之控制部，控制部于进行抹除动作时，将第1电压施加至第1字元线，将高于第1电压之第2电压施加至第2字元线，将第3电压施加至第3字元线，将高于第3电压之第4电压施加至第4字元线，且上述第3电压高于上述第2电压。