| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102157381B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201110036456.X | 申请日期 | 2011.02.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 张钟光;池承宪;慎烘縡;郑龙镇;吴怜默;李周范 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极图案，使得栅极图案包括栅极介电层和牺牲栅电极；在半导体基板和栅极图案上形成蚀刻停止层和介电层；去除介电层的一部分，以暴露蚀刻停止层；对蚀刻停止层执行回蚀工艺，以暴露牺牲栅电极；去除牺牲栅电极，以形成沟槽；在包括沟槽的半导体基板上形成金属层，使得金属层的下部在介电层的上表面的下方；去除金属层的一部分，以暴露介电层；按预定的目标对金属层执行回蚀工艺，使得部分地去除所述金属层的下部，其中，金属层的下部的上表面比金属层的下部的底表面宽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||