一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，第二导电类型基区内设有带有横向电子通路单元第一导电类型发射区，在减小器件窗口的设计下，电极孔刻蚀时由于光刻机的精度原因，有时候电极不能和发射极的一边接触，导致器件一半失效，而本发明横向的第二单元142发射区的设置则能实现在任何情况下电极和两边发射极都能接触，这样增加了器件的可靠性。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型基区（120），第二导电类型基区（120）内设有第二导电类型深扩散区（130），第二导电类型基区（120）内设有带有横向电子通路单元第一导电类型发射区（140），所述第一导电类型发射区（140）包括两个第一单元（141）和两个第二单元（142），两个第一单元（141）各自与一个第二单元（142）横向相连，两横向设置的第二单元（142）形成横向电子通路单元；第一导电类型发射区（140）的第一单元（141）分别设置在第二导电类型深扩散区（130）的两端，每个第一导电类型发射区（140）的第一主面上设有栅极绝缘层（160），栅极绝缘层（160）上设有多晶硅栅极层（170），多晶硅栅极层（170）上设有第二绝缘层（180），两组多晶硅栅极层（170）和第二绝缘层（180）的内侧设有绝缘侧壁（190），绝缘侧壁（190）下端设置在栅极绝缘层（160）上，第一导电类型衬底（110）的第二主面内设有第二导电类型集电区（150），所述两多晶硅栅极层（170）之间的区域为窗口区。