发明名称 | 传感器 | ||
摘要 | 描述了一种具有环形或箍形共振器(1)的硅MEMS陀螺仪。所述共振器(1)通过深度反应离子蚀刻技术形成,并且在所述共振器(1)的中轴(4)的任意一侧被形成有插槽(5),该插槽(5)在所述共振器(1)的圆周周围延伸。所述插槽(5)改进所述陀螺仪的品质因子Q而不影响所述共振器的共振频率。 | ||
申请公布号 | CN103119397B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
申请号 | CN201180044814.X | 申请日期 | 2011.09.05 |
申请人 | 大西洋惯性系统有限公司 | 发明人 | C·P·费尔 |
分类号 | G01C19/5684(2006.01)I | 主分类号 | G01C19/5684(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 蒋旭荣 |
主权项 | 一种具有品质因子(Q)的传感器,该传感器包括:振动结构,该振动结构包括:平面的环形振动共振器或者箍形振动共振器(1),所述共振器(1)具有在中轴(4)周围延伸的内圆周(3)和外圆周(2);驱动装置(12,13),所述驱动装置(12,13)用于引起所述共振器(1)振动;多个支撑装置(10,11),所述多个支撑装置(10,11)用于支撑所述共振器(1)以及用于允许所述共振器(1)响应于所述驱动装置(12,13)而在无阻尼振荡模态下振动,其中,所述共振器(1)包括向所述中轴(4)的内部径向放置的第一插槽串(5a),以及向所述共振器(1)的所述中轴(4)的外部径向放置的第二插槽串(5b),所述第一插槽串(5a)和所述第二插槽串(5b)相对于所述共振器(1)的所述中轴(4)被同中心地放置,以使所述第一插槽串(5a)和所述第二插槽串(5b)的放置调整所述共振器(1)上的热弛豫路径长度,而不影响所述共振器(1)的共振频率,从而增加所述共振器(1)的所述品质因子。 | ||
地址 | 英国德文郡 |