Method of manufacture of metal oxide semiconductor layers and use of these metal oxide semiconductor layers in electronic components

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Metalloxidschichten durch Kathodenzerstäubung unter Verwendung von Argon als Arbeitsgas und Sauerstoff (O 2 ) als erstem Reaktivgas, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein weiteres Reaktivgas mit reduzierenden Eigenschaften gegenüber dem ersten Reaktivgas während des Sputterprozesses zugegeben wird. Ein bevorzugtes zweites Reaktivgas ist Wasserstoff (H 2 ).