| 发明名称 | 一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用，所述一维硒化锡纳米阵列由沿同一方向生长并呈阵列状排列的硒化锡纳米线组成。本发明的一维硒化锡纳米阵列是采用化学气相沉积法、以硒化锡为原料并在催化剂作用下沉积得到的，可用于NTC热敏电阻中，具有优异的负温度系数。本发明制备一维硒化锡纳米阵列的方法具有低成本、合成步骤简单、速度快、结晶性好、形貌可控的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103482589B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201310455344.7 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 何军;曹金利;王振兴 |
| 分类号 | C01B19/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B19/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋 |
| 主权项 | 一种一维硒化锡纳米阵列，其特征在于，所述一维硒化锡纳米阵列由沿同一方向生长并呈阵列状排列的硒化锡纳米线组成；所述硒化锡纳米线的直径为20～300nm；所述硒化锡纳米线的长度为0.1～100μm；所述一维硒化锡纳米阵列是采用化学气相沉积法、以硒化锡为原料并在催化剂作用下沉积得到的。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 | ||