| 发明名称 | 半导体器件的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底，以及形成在衬底中的源极区和漏极区。该半导体器件还包括形成在源极区和漏极区之间的衬底的凹槽中的杂质扩散停止层，其中，杂质扩散停止层覆盖凹槽的底部和侧壁。该半导体器件还包括形成在杂质扩散停止层上方和凹槽中的沟道层，以及形成在沟道层上方的栅极堆叠件。杂质扩散停止层基本防止了衬底和源极区与漏极区中的杂质扩散到沟道层中。本发明还涉及半导体器件的结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104916542A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410325343.5 | 申请日期 | 2014.07.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 萧茹雄;王琳松;黄智睦;赵志刚;蒋振劼 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：蚀刻衬底，从而在所述衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成杂质扩散停止层，所述杂质扩散停止层覆盖所述凹槽的底部和侧壁；在所述杂质扩散停止层上方形成沟道层；以及在所述沟道层上方形成栅极堆叠件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||