发明名称 存储装置、存储器控制器及存储器控制方法
摘要 根据本实施方式,存储装置包括:半导体存储器,存储作为编码字的第一编码字及第二编码字,并具有多层单元,与一个字线连接的多个存储器单元能存储多个页;和控制器,其从半导体存储器的多个页中的一个页读取第一编码字及向多个页中的与第一编码字对应的页以外的页写入的第二编码字。控制器使用从半导体存储器读取的第一编码字及第二编码字来进行纠错处理,控制器在由纠错处理不能纠正第一编码字且能纠正第二编码字的情况下再读取第一编码字,控制器使用再读取所形成的读取结果和纠错后的第二编码字的各位的位值来决定第一编码字的各位值。
申请公布号 CN104916330A 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201410232680.X 申请日期 2014.05.29
申请人 株式会社 东芝 发明人 山崎进;吉田贤治
分类号 G11C16/26(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C16/26(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 张林;陈海红
主权项 一种存储装置,其特征在于,包括:半导体存储器,其具有一个以上字线和一个以上存储器单元,且存储作为编码字的第一编码字及第二编码字,所述存储器单元能分别存储多个位,与一个字线连接的多个所述存储器单元能存储多个页;和控制器,其从所述半导体存储器的所述多个页中的一个页读取所述第一编码字及向所述多个页中的与所述第一编码字对应的所述页以外的页写入的所述第二编码字,其中,所述控制器使用从所述半导体存储器读取的所述第一编码字及第二编码字来进行纠错处理,所述控制器在由所述纠错处理不能纠正所述第一编码字且能纠正所述第二编码字的情况下再读取所述第一编码字,所述控制器使用所述再读取所形成的读取结果和纠错后的所述第二编码字的各位的位值来决定所述第一编码字的各位值。
地址 日本东京都