| 发明名称 | 半导体器件结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。 | ||
| 申请公布号 | CN104916617A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410566501.6 | 申请日期 | 2014.10.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李立国;刘永盛;刘宜臻;赖怡仁;陈俊仁;郑锡圭 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；介电层，位于所述半导体衬底上方；导电迹线，位于所述介电层上方；导电部件，位于所述导电迹线上方，其中，所述导电部件的宽度基本上等于或大于所述导电迹线的最大宽度；以及导电凸块，位于所述导电部件上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||