| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供使导通电阻降低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极与上述第2电极之间，具有在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上碳空位密度变低的区域；第1导电型的第2半导体层，设在上述第1电极与上述第1半导体层之间，杂质元素浓度比上述第1半导体层高；以及第2导电型的多个第3半导体层，设在上述第2电极与上述第1半导体层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104916707A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510096483.4 | 申请日期 | 2015.03.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 水上诚;铃木拓马 |
| 分类号 | H01L29/868(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/868(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极与上述第2电极之间，具有在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上碳空位密度变低的区域；第1导电型的第2半导体层，设在上述第1电极与上述第1半导体层之间，杂质元素浓度比上述第1半导体层高；以及第2导电型的多个第3半导体层，设在上述第2电极与上述第1半导体层之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||