使用混合式雷射划线及电浆蚀刻方式切割晶圆伴随着用以增进遮罩蚀刻抗性的遮罩电浆处理;WAFER DICING USING HYBRID LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH APPROACH WITH MASK PLASMA TREATMENT FOR IMPROVED MASK ETCH RESISTANCE

摘要

描述了切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有复数个积体电路。在一实例中，一种切割具有复数个积体电路的半导体晶圆之方法包含在该半导体晶圆上面形成遮罩，该遮罩包括覆盖及保护该等积体电路的层。使该遮罩曝露于电浆处理制程以增进该遮罩之蚀刻抗性。使用雷射划线制程图案化该遮罩，以在该遮罩中提供间隙，该等间隙曝露出介于该等积体电路间的半导体晶圆区域。在使该遮罩曝露于电浆处理制程之后，电浆蚀刻该半导体晶圆穿透该遮罩中的该等间隙，以切割该等积体电路。