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发明名称 半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びその製造方法
摘要 <p>A semiconductor thin film includes one or more amorphous metal oxides, an OH group being bonded to at least some of the metal atoms of the amorphous metal oxides.</p>
申请公布号 JP5780902(B2) 申请公布日期 2015.09.16
申请号 JP20110209521 申请日期 2011.09.26
申请人 发明人
分类号 H01L29/786;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/336;H01L21/363 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
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