发明名称 |
半导体存储设备的数据输出电路 |
摘要 |
半导体存储设备的数据输出电路包括:管道锁存单元,配置为储存输入的并行数据,并且响应于多个对齐控制信号而对储存的数据进行对齐以输出串行输出数据;以及对齐控制信号发生单元,配置为响应于突发类型信息和种子地址组,产生所述多个对齐控制信号,其中,所述对齐控制信号发生单元产生所述对齐控制信号,以在交换模式中对数据进行交换,在该交换模式中,突发类型为某种类型并且种子地址组的位具有某种值。 |
申请公布号 |
CN102194510B |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201010148559.0 |
申请日期 |
2010.04.16 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金光现;李康悦 |
分类号 |
G11C7/10(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I |
主分类号 |
G11C7/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
黄启行 |
主权项 |
一种半导体存储设备的数据输出电路,包括:管道锁存单元,配置为响应于管道锁存输入控制信号和存储体信息信号来储存输入的并行数据,响应于选择信号和多个对齐控制信号而对储存的数据进行对齐,以及响应于多个管道锁存输出控制信号以输出串行输出数据;以及对齐控制信号发生单元,配置为响应于突发类型选择信号、列存取选通CAS潜伏时间信号和时钟信号来接收种子地址组以产生所述选择信号和所述多个对齐控制信号,其中,所述对齐控制信号发生单元产生所述对齐控制信号,以在交换模式中对数据进行交换,在该交换模式中,所述突发类型为特定类型并且所述种子地址组的位具有特定值。 |
地址 |
韩国京畿道 |