| 发明名称 | 具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁包括侧壁台阶；在所述侧壁台阶的表面之下形成的结；和被配置为与所述结相接触的掩埋位线。 | ||
| 申请公布号 | CN102254915B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201010255052.5 | 申请日期 | 2010.08.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 董且德;金奎显 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁具有侧壁台阶；结，所述结形成在所述侧壁台阶的表面之下；和掩埋位线，所述掩埋位线被配置为与所述结相接触，其中所述结扩展到所述侧壁的下部，所述侧壁的下部位于所述侧壁台阶的表面之上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||