发明名称 透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体
摘要 本发明提供透明导电膜的修复和再生方法及透明导电层积体,提供在透明导电膜中存在一定范围的全长的膜缺陷时将膜缺陷部不可见化而将透明导电膜修复和再生的方法。还提供具备通过该方法进行了修复和再生的透明导电膜的透明导电层积体。本发明涉及透明导电膜的修复和再生方法,该方法的特征在于,包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序,透明导电膜通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成,其配置于基材的至少一个面上,凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤或缺损、将存在于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、以及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹陷组成的组中的至少一种,凹部的全长为10~300μm。
申请公布号 CN104916350A 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201510109016.0 申请日期 2015.03.12
申请人 长濑化成株式会社 发明人 大堀达也;久留岛康功;常田义真
分类号 H01B5/14(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;孟伟青
主权项 一种透明导电膜的修复和再生方法,该方法的特征在于,该方法包括在透明导电膜上的凹部层积透明树脂层的工序,透明导电膜是通过涂布含有导电材料的透明导电膜形成用组合物而形成的,该透明导电膜被配置于基材的至少一个面上,凹部为选自由起因于基材形状的凹陷、存在于透明导电膜的损伤和缺损、将存在于透明导电膜的异物除去而形成的凹陷、以及对存在于透明导电膜的缺损加压而形成的凹陷组成的组中的至少一种,凹部的全长为10μm~300μm。
地址 日本大阪府