| 发明名称 | 非易失性存储器器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非易失性存储器器件及其制造方法。根据一个实施例，非易失性存储器器件包括：在第一方向延伸的第一互连；在第二方向延伸的第二互连，以及所述第二互连的下端位于所述第一互连之上；在第三方向延伸的多个第三互连，以及所述第三互连被布置在所述第二方向；在所述第二互连和所述第三互连之间提供的电流限制层；在所述电流限制层和所述第三互连之间提供的金属离子源层；在所述电流限制层和所述第三互连之间提供的电阻改变层；以及在所述第一互连和所述第二互连的所述下端之间提供的选择器。 | ||
| 申请公布号 | CN104916657A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410282792.6 | 申请日期 | 2014.06.23 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 松并绚也;市毛正之;今野拓也;杉前纪久子 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;杨晓光 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器器件，所述器件包括： 在第一方向延伸的第一互连； 在与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二互连，以及所述第二互连的下端位于所述第一互连之上； 在第三方向延伸的多个第三互连，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向交叉，并且所述第三互连被布置在第二方向； 在所述第二互连和所述第三互连之间提供的电流限制层； 在所述电流限制层和所述第三互连之间提供的金属离子源层； 在所述电流限制层和所述第三互连之间提供的电阻改变层；以及 在所述第一互连和所述第二互连的所述下端之间提供的选择器。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||