用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法

摘要

本发明提供了一种在进行低温注入工艺之后，用于将晶圆加热至期望温度的高产量系统，包括：注入室，配置为均匀地加热单个晶圆的晶圆加热室，以及通过系统转移晶圆的多个机械臂。在制造工艺的各个阶段，机械臂同时工作于多个晶圆，并且因此，该系统提供了高产量工艺。此外，加热室可以是真空环境，以便消除导致晶圆沾污的雾凝结问题。本发明涉及用于注入后单个晶圆加热的高产量系统和方法。

主权项

一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：将第一半导体晶圆转移至注入室；在所述注入室内对所述第一半导体晶圆实施注入工艺；在对所述第一半导体晶圆实施所述注入工艺之后，将所述第一半导体晶圆转移至加热室，并且同时将第二半导体晶圆转移至所述注入室；在所述加热室内加热所述第一半导体晶圆，并且同时对所述第二半导体晶圆实施所述注入工艺；将所述第一半导体晶圆转移出所述加热室以用于进一步处理，并且同时将所述第二半导体晶圆转移至所述加热室；以及在所述加热室内加热所述第二半导体晶圆。