| 发明名称 | 一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法，先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，再进行微弧氧化处理；所述在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，具体包括以下步骤：(1)对高硅铝合金进行前处理；(2)在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr钝化膜：(2-1)制备钝化液：每升去离子水中含有1-5g单宁酸、1-4g氟钛酸、1-2g氟锆酸、1-4g偏钒酸钠；(2-2)将高硅铝合金浸泡在钝化液中，处理时间为1-4min；处理温度为25℃。本发明降低了硅对微弧氧化的不利影响，且工艺简单、高效、环保的条件下，取得缩短铸造铝硅合金微弧氧化过程起弧时间，降低单位能耗的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104911664A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510371995.7 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 张果戈;董文潇;李文芳;于非 |
| 分类号 | C25D11/04(2006.01)I;C25D11/16(2006.01)I | 主分类号 | C25D11/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法，其特征在于，先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜，再进行微弧氧化处理；所述高硅铝合金中硅的质量百分数>7％。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||