在鳍式场效电晶体装置上形成替代闸极结构和鳍部的方法及该产生的装置;METHODS OF FORMING REPLACEMENT GATE STRUCTURES AND FINS ON FINFET DEVICES AND THE RESULTING DEVICES

摘要

本发明涉及在鳍式场效电晶体(FinFET)装置上形成替代闸极结构及鳍部的方法以及装置，揭露的一种方法包括：除其他以外，移除牺牲闸极结构以定义替代闸极开口；通过该替代闸极开口执行蚀刻制程，以使用将该替代闸极开口内暴露的图案化硬遮罩作为蚀刻遮罩而在半导体材料层中定义鳍部结构；以及围绕该鳍部结构的至少部分在该替代闸极开口中形成替代闸极结构。