一种利用氢气原位刻蚀提高氮化铝晶体质量的方法

摘要

本发明公开一种利用氢气原位刻蚀提高氮化铝晶体质量的方法。本发明方法是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、第一次高温外延生长、原位刻蚀和第二次高温次外延生长五个阶段。本发明方法通过高温的原位刻蚀技术，在第一次高温外延层和第二次高温外延层之间形成密集的孔洞层，第二次高温外延生长时通过提升侧向生长速率，孔洞逐渐合并，在孔洞侧向合并时部分位错发生弯曲，最终相互湮灭，从而降低了外延层中的位错密度，提高外延层晶体质量；同时该孔洞层能有效释放异质外延产生的剩余应力，消除衬底剩余应力导致的外延层开裂的问题。

主权项

一种利用氢气原位刻蚀提高氮化铝晶体质量的方法，包括如下步骤：1)选择一衬底，转移入MOCVD系统中，升温对衬底进行烘烤；2)在衬底上沉积一层成核层；3)在所述成核层上用NH₃与TMGa进行第一次高温外延层生长；4)在所述外延层上进行原位刻蚀，形成孔洞层；5)在所述孔洞层上用NH₃与TMGa进行第二次高温外延层生长高质量氮化铝薄膜。