| 发明名称 | 非易失性半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种能够在存储元件和周围电路的晶体管中将栅电极设置成最佳结构的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置包括：半导体基板；在上述半导体基板之上隔着第1绝缘膜具备第1高度的第1栅电极的存储元件；在上述半导体基板之上隔着第2绝缘膜具备第2高度的第2栅电极的上述存储元件以外的周围元件；其中，在上述存储元件的第1栅电极和上述周围元件的第2栅电极之间，栅材料的层叠结构不同，上述第1栅电极的第1高度与上述第2栅电极的第2高度不同。 | ||
| 申请公布号 | CN104916643A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410445743.X | 申请日期 | 2014.09.03 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 丰永一成;渡边正一;高山华梨;村田章太郎;永岛贤史 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘薇;陈海红 |
| 主权项 | 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：半导体基板；在上述半导体基板之上隔着第1绝缘膜具备第1高度的第1栅电极的存储元件；以及在上述半导体基板之上隔着第2绝缘膜具备第2高度的第2栅电极的上述存储元件以外的周围元件；其中，在上述存储元件的第1栅电极和上述周围元件的第2栅电极之间，栅材料的层叠结构不同，上述第1栅电极的第1高度和上述第2栅电极的第2高度不同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||