半导体存储装置

摘要

本发明提供一种可以抑制面积增加的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1、第2存储单元晶体管MT、第1、第2字线WL、第1、第2晶体管(50)、及第1、第2驱动电路(60)。第1存储单元晶体管MT设置在半导体基板上方且包括电荷累积层。第2存储单元晶体管MT设置在第1存储单元晶体管MT的上方且包括电荷累积层。第1、第2字线WL分别与第1、第2存储单元晶体管MT连接。第1、第2驱动电路(60)分别施加各自的电压到第1、第2字线WL。第1、第2晶体管(50)分别将第1、第2字线WL与第1、第2驱动电路(60)之间连接。第1晶体管(50)与第2晶体管(50)的尺寸不同。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于包含：第1存储单元晶体管，其设置在半导体基板上方，且包含电荷累积层；第2存储单元晶体管，其设置在所述第1存储单元晶体管的上方，且包含电荷累积层；第1、第2字线，其分别连接于所述第1、第2存储单元晶体管；第1、第2驱动电路，其施加各自的电压到所述第1、第2字线；以及第1、第2晶体管，其分别将所述第1、第2字线与所述第1、第2驱动电路之间连接；并且所述第1晶体管与所述第2晶体管的尺寸不同。