非挥发性记忆体装置;NONVOLATILE MEMORY DEVICE

摘要

本发明揭示一种非挥发性记忆体装置，根据一实施例，其包含一第一布线、一第二布线及一记忆胞，该记忆胞安置于其中该第一与该第二布线交叉之一位置上以插入该第一与该第二布线之间。该记忆胞包含一可变电阻层及由提供为与该可变电阻层接触之一绝缘薄膜形成的一穿隧障壁层。该穿隧障壁层提供为接近该第一布线，在将该可变电阻层自一高电阻状态改变至一低电阻状态之设定操作期间施加一正电压至该第一布线。