用于具有缩小的位单元尺寸的自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器的写入操作

摘要

本发明揭示用于控制自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)中的写入操作的系统、电路及方法。通过将源极线(SL)布置成大体上与字线(WL)平行且大体上垂直于位线(BL)来实现缩小的位单元尺寸。另外，在写入操作期间的一个实施例中，将高逻辑/电压电平施加到未选位单元的位线以防止无效写入操作。

主权项

一种自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器，其包含：位单元阵列，其具有大体上平行于耦合到第一行位单元的字线的源极线，其中所述源极线大体上垂直于耦合到所述第一行位单元的位线；源极线选择器，其耦合到耦合到所述源极线的选择线，其中所述源极线选择器适于激活所述选择线，并且被激活的选择线激活与所述源极线相关联的晶体管；以及源极线驱动器，其耦合到所述源极线，所述源极线驱动器适于在写操作期间在所激活的源极线上建立高电压或低电压。