在同一半导体衬底内形成电力和电路元件的半导体装置

摘要

本发明即便在半导体装置中流过负电流的情况下，也抑制半导体衬底（3）的电位相对于构成电路元件（2）的深半导体层的电位变低，不使寄生元件动作，防止半导体装置的误动作。本发明包括n型半导体衬底（3）、电力元件（1）、电路元件（2）和外部电路。外部电路具有电源、将一端与电源连接的电阻元件、和将阳极电极与电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的二极管，将半导体层（4）与电阻元件的另一端连接。

主权项

一种半导体装置，包括：第1导电类型的半导体衬底；电力元件，形成于所述半导体衬底的一面，向所连接的负载供给电力；电路元件，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，至少包含1个具有第1导电类型的源极/漏极区域的MOS晶体管；第2导电类型的第1半导体层，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，相对于所述电力元件和所述电路元件而独立配置；和外部电路，与所述半导体衬底和所述第1半导体层电连接，所述外部电路具有第1电源、将一端与所述第1电源连接的第1电阻元件、和将阳极电极与所述第1电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的第1二极管，将所述第1半导体层与所述第1电阻元件的所述另一端连接。