| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；对所述半导体衬底将形成埋层槽的区域执行多次离子注入，以在所述半导体衬底中形成埋层槽离子掺杂区域；在所述半导体衬底上外延生长半导体材料层，以覆盖所述半导体衬底；图案化半导体材料层，在所述埋层槽离子掺杂区域的上方形成竖直沟槽，以露出所述埋层槽离子掺杂区域；在所述竖直沟槽的侧壁上形成间隙壁，以保护所述竖直沟槽的侧壁；蚀刻去除所述埋层槽离子掺杂区域，以在所述半导体衬底中形成埋层槽。本发明所述方法的优点在于：（1）能够得到平坦的埋层槽（Buried Trench）结构；（2）可以避免空气间隙的存在；（3）埋层槽（Buried Trench）结构的尺寸将不再受到干法蚀刻工艺的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN104916537A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410088414.4 | 申请日期 | 2014.03.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯喆韻;朱岩岩;王刚宁;刘丽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底将形成埋层槽的区域执行多次离子注入，以在所述半导体衬底中形成埋层槽离子掺杂区域；在所述半导体衬底上外延生长半导体材料层，以覆盖所述半导体衬底；图案化所述半导体材料层，在所述埋层槽离子掺杂区域的上方形成竖直沟槽，以露出所述埋层槽离子掺杂区域；在所述竖直沟槽的侧壁上形成间隙壁，以保护所述竖直沟槽的侧壁；蚀刻去除所述埋层槽离子掺杂区域，以在所述半导体衬底中形成埋层槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||