斜孔刻蚀方法

摘要

本发明提供一种斜孔刻蚀方法，其包括以下步骤：S1，将硅片正面键合在SiO₂衬底上，并通过光刻曝光在硅片背面上形成具有刻蚀图形的掩膜；S2，对硅片交替进行刻蚀作业和沉积作业，同时，减小单次沉积作业的工艺时间与单次刻蚀作业的工艺时间的比值，以在硅片背面上形成具有预设刻蚀深度且倾斜角度大于90°的斜孔；S3，去除硅片背面上的掩膜，并将硅片正面与SiO₂衬底去键合；然后，翻转硅片且将其背面键合在SiO₂衬底上；S4，自硅片正面对硅片的厚度进行整体减薄，以使所述斜孔的底部完全暴露。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其不仅能够获得倾斜角度小于90°的斜孔，而且还可以避免出现斜孔底部“长草”的现象。

主权项

一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将硅片正面键合在SiO₂衬底上，并通过光刻曝光在硅片背面上形成具有刻蚀图形的预定厚度的掩膜；S2，对所述硅片交替进行刻蚀作业和沉积作业，同时减小单次沉积的工艺时间与单次刻蚀的工艺时间的比值，以在所述硅片背面上形成具有预设刻蚀深度且倾斜角度大于90°的斜孔；S3，去除所述硅片背面上的掩膜，并将所述硅片正面与所述SiO₂衬底去键合；然后，翻转所述硅片且将其背面键合在SiO₂衬底上；S4，自所述硅片正面对所述硅片的厚度进行整体减薄，以使所述斜孔的底部完全暴露。