| 发明名称 | LED显示面板及其制作方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种LED显示面板及其制作方法，以及一种包括该LED显示面板的显示装置，该LED显示面板包括：衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括：位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。本发明实施例所提供的LED显示面板功耗较小。 | ||
| 申请公布号 | CN104916656A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201410091576.3 | 申请日期 | 2014.03.13 |
| 申请人 | 联想（北京）有限公司 | 发明人 | 龙浩;阳光 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种LED显示面板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的发光二极管，所述发光二极管包括：位于所述衬底表面的N型半导体层，位于所述N型半导体层表面的发光层，位于所述发光层表面的P型半导体层；位于所述发光二极管表面的晶体管，所述晶体管的源极位于所述P型半导体层表面，漏极位于所述N型半导体层的表面，沟道层位于所述源极与所述P型半导体层之间或者所述漏极与所述N型半导体层之间，栅极位于所述沟道层表面。 | ||
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 | ||