半导体装置

摘要

本发明提供一种回复时之安全动作区域更广之半导体装置。;实施形态之半导体装置包含：第1电极；第2电极；第1导电型之第1半导体层，其设于上述第1电极与上述第2电极之间，且与上述第1电极相接；第2导电型之第1半导体区域，其设于上述第1半导体层与上述第2电极之间，且与上述第2电极相接；第2导电型之第2半导体区域，其设于上述第1半导体区域与上述第2电极之间，且与上述第2电极相接，其杂质浓度高于上述第1半导体区域之杂质浓度；及绝缘层，其一端与上述第2电极相接，另一端位于上述第1半导体层，且沿第2电极而于自上述第1电极朝上述第2电极之第1方向延伸。