半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

半导体装置包括第一和第二半导体层、第一和第二半导体区、源极区、汲极区、及闸极电极。第一导电型的该第二半导体层系形成在该第一半导体层之上。第二导电型的该第一半导体区系形成在该第二半导体层的表面上。该第一型的该源极区系形成在该第一半导体区的表面上。该第一型的该汲极区系形成在具有该第一型之该第一半导体层的表面上，及与该源极区分开。该第二型的该第二半导体区系设置在该汲极区与该第一半导体层之间。该闸极电极系形成在该第二半导体层之上，且设置在该汲极区与该源极区之间。