半导体装置及其制造方法;A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其可防止水分从具有背面照射型的光电转换元件的半导体装置的衬垫电极附近侵入到半导体装置内部。本发明之半导体装置具备晶片区域，其包含背面照射型的光电转换元件、记号状外观部MK、衬垫电极PA以及连接部SR。记号状外观部MK包含絶缘膜IF，其覆盖形成于半导体基板SI内的沟部TH2的侧面整体。衬垫电极PA配置在与记号状外观部MK重叠的位置。连接部SR连接衬垫电极PA与记号状外观部MK。衬垫电极PA的半导体基板SI之另一侧的主表面S2侧的至少一部分，因为从半导体基板SI之另一侧的主表面S2侧到达衬垫电极PA的开口部TH而露出。记号状外观部MK以及连接部SR，以在俯视下包围开口部TH之外周的至少一部分之方式配置。