在矽沟槽中的三族氮化物装置;III-N DEVICES IN SI TRENCHES

摘要

一种包含一部份基板的沟槽被形成。一成核层系沈积于该沟槽内之该基板的该部份上。一三族氮化物材料层系沈积于该成核层上。该三族氮化物材料层系侧向地生长超过该沟槽。一装置层系沈积于该侧向生长的三族氮化物材料层上。一低缺陷密度区域系在该侧向生长材料上得到，其系并且使用于矽基板上之三族氮化物材料的电子装置制造。