介电常数减少且机械性质强化的低Ｋ介电层;LOW-K DIELECTRIC LAYER WITH REDUCED DIELECTRIC CONSTANT AND STRENGTHENED MECHANICAL PROPERTIES

摘要

本发明之实施例大体而言提供一种用于在积体电路内形成低k介电多孔氧碳化矽层的方法及设备。在一个实施例中，提供方法用于沉积含有成孔剂及块体层的氧碳化矽层，自所形成层选择性移除成孔剂而无需同时交联块体层，及随后交联块体层材料。在其他实施例中，提供方法用于沉积多个氧碳化矽子层，自每个子层选择性移除成孔剂而无需同时交联子层之块状材料，及单独交联子层。