微细图案的形成方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及记录媒体

摘要

本发明的课题是在于提供一种对于以矽为主成分的第1膜，对于含矽率比前述第1膜更少的膜的第2膜，高选择蚀刻的技术。其解决手段是形成包含以矽为主成分的第1膜及含矽率比前述第1膜更少的第2膜之层叠膜，在前述层叠膜形成第一孔，且在前述第一孔形成通道，在前述通道间形成第二孔之后，构成除去与所被形成的前述第二孔邻接的前述第1膜。