发明名称 磊晶成长装置
摘要 藉晶圆之面内温度分布的均匀化来提高磊晶层之层厚的均匀性,而且抑制副产生物对室的附着。磊晶成长装置系包括:室,系收容晶圆;基座,系在室内支撑晶圆;上部灯群,系由在室之上方排列成环状的复数个加热灯所构成;下部灯群,系由设置于室之下方的复数个加热灯所构成;大致圆筒状之反射构件,系在室之上方设置于上部灯群之环的内侧;及追加反射构件,系位于晶圆的上方并设置于反射构件的内侧,具有与晶圆平行的反射面;追加反射构件设置成塞住反射构件之下端部的开口。
申请公布号 TW201535476 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW103139706 申请日期 2014.11.17
申请人 SUMCO股份有限公司 SUMCO CORPORATION 发明人 吉武贯 YOSHITAKE, KAN;冈本王孝 OKAMOTO, KIMITAKA;东海林春树 SHOJI, HARUKI
分类号 H01L21/20(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本 JP