发明名称 |
高频高效能透明晶片电容之结构及其制造方法;HIGH-FREQUENCY CHIP CAPACITORS WITH HIGH EFFICIENCY AND TRANSPARENT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
摘要 |
本发明系一种高频高效能透明晶片电容之结构及其制造方法,其结构包含,玻璃基板,底部透明电极层位于玻璃基板上,中间透明绝缘层位于底部透明电极层上,顶部透明电极层位于中间绝缘层上。其制造方法包含下列步骤:提供玻璃基板,以物理气相沉积法形成底部透明电极层于玻璃基板上,以物理气相沉积法形成中间透明绝缘层于底部透明电极层,将具有图案之金属遮罩贴附于中间透明绝缘层上,以物理气相沉积法依据金属遮罩之图案将一顶部透明电极层形成于中间透明绝缘层上,最后移除金属遮罩。 |
申请公布号 |
TW201535443 |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
TW103107552 |
申请日期 |
2014.03.05 |
申请人 |
崑山科技大学 KUN SHAN UNIVERSITY |
发明人 |
蔡武翰 TSAI, WU HAN;吴宏伟 WU, HUNG WEI |
分类号 |
H01G4/008(2006.01);H01G4/018(2006.01) |
主分类号 |
H01G4/008(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
杨长峯李国光张仲谦 |
主权项 |
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地址 |
台南市永康区崑大路195号 TW |