在基底中形成狭缝的方法及刻蚀气体组成

摘要

本发明涉及一种在基底中形成狭缝的方法及刻蚀气体组成。其中，在基底中形成狭缝的方法，包括：于基底上形成掩模层，其中掩模层不包括碳。透过掩模层为掩模，对基底进行蚀刻工艺，以于基底中形成至少一个狭缝。蚀刻气体包括Cl₂、CF₄以及CHF₃，CF₄与CHF₃的莫耳比为约0.5至0.8，以及F与Cl的莫耳比为约0.4至0.8。此外，蚀刻工艺同时移除掩模层。

主权项

一种在基底中形成狭缝的方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底中已形成有多个浅沟渠隔离结构；于基底上形成掩模层，特征在于所述掩模层不包括碳，所述掩模层覆盖所述浅沟渠隔离结构以及至少暴露一部分位于所述浅沟渠隔离结构之间的所述基底；以及透过所述掩模层为掩模，对所述基底进行蚀刻工艺，于所述基底中形成至少一个狭缝，其中所述蚀刻工艺使用的蚀刻气体包括Cl₂、CF₄以及CHF₃，且CF₄与CHF₃的莫耳比为0.5至0.8，以及F与Cl的莫耳比为0.4至0.8，及进行所述蚀刻工艺时同时移除所述掩模层，使得所述浅沟渠隔离结构以及被所述掩模层覆盖的所述基底的表面暴露出来，其中所述掩模层与所述浅沟渠隔离结构中的氧化硅之间或所述基底与所述浅沟渠隔离结构中的所述氧化硅之间具有足够高的蚀刻选择比，因此可同时移除欲形成狭缝的部分所述基底以及所述掩模层，且避免破坏所述浅沟渠隔离结中的所述氧化硅。