发明名称 | 一种基于低维半导体结构的倍频器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于低维半导体结构的倍频器,包括绝缘衬底层、设置在绝缘衬底层表面的半导体导电层,设置在半导体导电层表面的绝缘保护层,穿透半导体导电层的绝缘刻槽,设置在半导体导电层一侧表面的接入电极和设置在接入极对应一侧表面的接出电极,所述半导体导电层包括两条相互靠近且平行设置的二维、准一维或一维的载流子沟道。本发明的倍频器结构简单,工艺容易实现,无需额外添加滤波电路,还有对材料特性依赖小,材料可选择范围宽等优点。 | ||
申请公布号 | CN103219944B | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
申请号 | CN201310144245.7 | 申请日期 | 2013.04.23 |
申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 许坤远 |
分类号 | H03B19/14(2006.01)I | 主分类号 | H03B19/14(2006.01)I |
代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人 | 吴静芝 |
主权项 | 一种基于低维半导体结构的倍频器,包括绝缘衬底层、设置在绝缘衬底层表面的半导体导电层,设置在半导体导电层表面的绝缘保护层,穿透半导体导电层的绝缘刻槽,设置在半导体导电层一侧表面的接入电极和设置在接入极对应一侧表面的接出电极,其特征在于:所述半导体导电层包括两条相互靠近且平行设置的二维、准一维或一维的载流子沟道。 | ||
地址 | 510631 广东省广州市中山大道西55号 |