| 发明名称 | 一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为<img file="DDA0000699652800000012.GIF" wi="151" he="92" />所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界:当籽晶的侧面晶向为<110>时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、<img file="DDA0000699652800000011.GIF" wi="131" he="89" />正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非<110>晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°。本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。 | ||
| 申请公布号 | CN104911691A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510177748.3 | 申请日期 | 2015.04.15 |
| 申请人 | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 | 发明人 | 陈红荣;胡动力;徐云飞;雷琦;何亮 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为<img file="FDA0000699652770000011.GIF" wi="154" he="83" />所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族，且构成重合位置点阵类型的晶界。 | ||
| 地址 | 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 | ||