半导体器件

摘要

一种半导体器件，包含第一半导体层和第二半导体层、第一半导体区和第二半导体区、源极区、漏极区、以及栅极电极。第一导电类型的所述第二半导体层被形成在所述第一半导体层上方。第二导电类型的所述第一半导体区被形成在所述第二半导体层的表面上。所述第一类型的所述源极区形成在所述第一半导体区的表面上。所述第一类型的所述漏极区形成在具有所述第一类型的所述第一半导体层的表面上，并且与所述源极区间隔开。所述第二类型的所述第二半导体区提供在所述漏极区与所述第一半导体层之间。所述栅极电极形成在所述第二半导体层上方，并且提供在所述漏极区与所述源极区之间。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体层；所述第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上并且具有低于所述第一半导体层的掺杂剂浓度的掺杂剂浓度；第二导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区位于所述第二半导体层中；所述第一导电类型的源极区，所述源极区位于所述第一半导体区中；所述第一导电类型的漏极区，所述漏极区位于所述第二半导体层中，并且在与所述第二半导体层的表面平行的第一方向上与所述源极区间隔开；所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区位于所述第二半导体层中并且位于所述漏极区与所述第一半导体层之间；以及栅极电极，所述栅极电极位于所述第二半导体层的所述表面上且位于所述漏极区与所述源极区之间。