| 发明名称 | GaN基LED外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层，P型GaN层。其中，MQW有源层包括InGaN阱层、以及生长在InGaN阱层之上的掺杂垒层，掺杂垒层为Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N垒层，Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N垒层中Al的摩尔含量从与InGaN阱层接触的下表面到与P型GaN层接触的上表面先递增，再递减。本发明采用渐变的Al<sub>x</sub>Ga<sub>（</sub><sub>1-x</sub><sub>）</sub>N多量子阱层结构形成能级梯度，与InGaN阱层形成的压应力减小，可以有效释放量子阱中的压应力，改善其极化电场效应，减弱量子阱内的斯托克斯效应，提高电子载流子和空穴载流子符合几率，提高内量子效率，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104916745A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510369149.1 | 申请日期 | 2015.06.29 |
| 申请人 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 发明人 | 刘恒山;陈立人;冯猛 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构从下向上依次包括：衬底，N型GaN层，MQW有源层， P型GaN层；所述MQW有源层包括InGaN阱层、以及生长在InGaN阱层之上的掺杂垒层，所述掺杂垒层为Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N垒层，所述Al<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N垒层中Al的摩尔含量从与所述InGaN阱层接触的下表面到与所述P型GaN层接触的上表面先递增，再递减。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||