| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括:在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN104919594A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201480004973.0 | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 | 发明人 | 青井佐智子;渡辺行彦;铃木克己;水野祥司 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;邓玉婷 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在半导体层中形成第一沟槽，其中，所述半导体层具有包括第一区域和第二区域的表面，并且所述第一沟槽形成于所述第一区域中；在形成所述第一沟槽后于所述半导体层的所述表面上生长第一导电类型的基极层的晶体，并且在所述基极层的表面上生长第二导电类型的源极层的晶体，其中，所述半导体层的材料、所述基极层的材料和所述源极层的材料是宽带隙半导体。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||