| 发明名称 | 导电体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的尤其在于，提供能够提高透明导电膜与金属膜之间的密合性的导电体及其制造方法。导电体(1)的特征在于，具有形成于透明基材(2)上的含有银纳米线的透明导电膜(3)、和以至少一部分重叠在所述透明导电膜上的方式形成的金属膜(5)，在透明导电膜(3)与金属膜(5)重叠的部分具有缓冲膜(4)，所述缓冲膜(4)对透明导电膜(3)和金属膜(5)均具有密合性，并且不阻碍透明导电膜(3)和金属膜(5)之间的导通。缓冲膜(4)例如为ITO膜，此时透明导电膜(3)的上表面(3a)优选为逆溅射面。 | ||
| 申请公布号 | CN104919540A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201380058038.8 | 申请日期 | 2013.11.07 |
| 申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 阿部惟;田口好弘;尾藤三津雄;浅部喜幸;北村恭志;山井知行;小熊浩司;大场知文 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;B82Y30/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 一种导电体，其特征在于，其具有：基材、形成于所述基材上的含有银纳米线的透明导电膜、和以至少一部分重叠在所述透明导电膜上的方式形成的金属膜，在所述透明导电膜与所述金属膜重叠的部分具有缓冲膜，所述缓冲膜对所述透明导电膜和所述金属膜均具有密合性，并且不阻碍所述透明导电膜和所述金属膜之间的导通。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||