电子装置

摘要

一种电子装置包括半导体存储器。所述半导体存储器包括垂直层叠在衬底上的多个平面。每个平面包括一个或更多个单元垫。每个单元垫分别包括下部线、与所述下部线相交叉的上部线、以及位于所述下部线和所述上部线的相交区域中的可变电阻元件。下触点分别耦合至所述下部线，并且在平面图中与所述上部线的一半和所述上部线的另一半数目之间的边界区域重叠。上触点分别耦合至所述上部线，并且与所述下部线的一半数目和所述下部线的另一半数目之间的边界区域重叠。上平面的一个单元垫垂直层叠在下平面上以与所述下平面的两个相邻的单元垫重叠。

主权项

一种电子装置，包括：半导体存储器单元，所述半导体存储器单元包括：垂直层叠在衬底上的第一至第T平面，所述第一至第T平面中的每个包括在每个平面中水平地排列的一个或更多个单元垫，T为大于或等于2的自然数；其中，第t平面的每个第t单元垫分别包括：在第一方向上延伸的第t下部线、安置在所述第t下部线上方并在与所述第一方向相交叉的第二方向上延伸的第t上部线、以及安置在所述第t下部线与所述第t上部线之间并安置在所述第t下部线和所述第t上部线的相交区域中的第t可变电阻元件，t为范围在1至T的自然数；并且其中，第(t+1)平面的每个第(t+1)单元垫与在所述第一方向上彼此相邻的两个第t单元垫中的一个的第一半重叠，并且与所述两个相邻的第t单元垫中的另一个的第二半重叠，所述第二半在所述第一方向上与所述第一半相邻，并且所述每个第(t+1)单元垫包括：安置在所述第一半和所述第二半中作为第(t+1)下部线的第t上部线、安置在所述第(t+1)下部线之上并在所述第一方向上延伸的第(t+1)上部线、以及安置在所述第t上部线与所述第(t+1)上部线之间并安置在所述第t上部线和所述第(t+1)上部线的相交区域中的第(t+1)可变电阻元件；第t下触点，其耦合至所述第t下部线中的相应一个并与所述第t下部线中的所述相应一个的中部重叠；第t上触点，其耦合至所述第t上部线中的相应一个并与所述第t上部线中的所述相应一个的中部重叠；以及第(t+1)上触点，其耦合至所述第(t+1)上部线中的相应一个并与所述第(t+1)上部线中的所述相应一个的中部重叠。