发明名称 |
绝缘栅型设备的驱动电路 |
摘要 |
本发明提供一种能够良好地进行栅电压控制用半导体元件的上拉动作,并适于将构成要素全部集成在同一半导体基板上的绝缘栅型设备的驱动电路,该栅电压控制用半导体元件用于实现绝缘栅型设备的误导通的防止和高速关断。本发明的绝缘栅型设备的驱动电路基于从外部输入的栅信号来驱动绝缘栅半导体元件,其具备:栅电压控制用半导体元件14,连接在上述绝缘栅半导体元件8的栅极-源极之间;上拉元件25,由在上述栅电压控制用半导体元件的栅极-漏极之间连接的耗尽型MOSFET构成。上述栅电压控制用半导体元件14通过施加在上述绝缘栅半导体元件的栅极的电压而驱动,使构成上述上拉元件25的MOSFET的背栅极接地,防止寄生晶体管的形成。 |
申请公布号 |
CN104917503A |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201510067781.0 |
申请日期 |
2015.02.09 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
岩水守生;山科普士 |
分类号 |
H03K17/687(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
王颖;金光军 |
主权项 |
一种绝缘栅型设备的驱动电路,其特征在于,是基于从外部输入的栅信号而驱动绝缘栅半导体元件的绝缘栅型设备的驱动电路,具备:栅电压控制用半导体元件,连接在所述绝缘栅半导体元件的栅极‑源极之间;和上拉元件,由在所述栅电压控制用半导体元件的栅极‑漏极之间连接的耗尽型MOSFET构成,所述栅电压控制用半导体元件通过施加在所述绝缘栅半导体元件的栅极的电压而驱动,构成所述上拉元件的耗尽型MOSFET的背栅极接地。 |
地址 |
日本神奈川县 |