发明名称 |
积体电路结构及其制造方法;INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF |
摘要 |
一种积体电路结构包含基板、位于基板上的金属垫、一部份位于金属垫上的钝化层、及位于钝化层上的高分子层。后钝化内连接结构(post-passivation interconnect,PPI)结构系一部份位于高分子层上,其中后钝化内连接结构系电性耦接于金属垫。积体电路结构更包含电性耦接于且位于一部份后钝化内连接结构之上的第一焊料区、邻接于第一焊料区的第二焊料区、位于第一焊料区之表面上的第一涂布材料、以及位于第二焊料区之表面上的第二涂布材料。第一涂布材料及第二涂布材料分别包围第一焊料区及第二焊料区。第一涂布材料系与第二涂布材料分隔开。 |
申请公布号 |
TW201535600 |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
TW103145944 |
申请日期 |
2014.12.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
缪佳君 MIAO, CHIACHUN;梁世纬 LIANG, SHIHWEI;吴凯强 WU, KAICHIANG |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财李世章 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |