发明名称 气体供给方法及半导体制造装置
摘要 在气体流量之脉冲控制中供给适当流量之气体。;提供一种气体供给方法,系将含有至少一种气体种类气体之处理气体供给至半导体制造装置内之程序空间的气体供给方法,包含有:第1工序,系在第1时段将该一种气体种类之气体控制为第1流量值,并供给包含该气体之该处理气体;第2工序,系在第2时段将该气体控制为较该第1流量值要小之第2流量值,并供给包含该气体之该处理气体;第3工序,系在该第1时段前之第3时段将该气体控制为较该第1流量值要大之第3流量值,并供给包含该气体之该处理气体;以及第4工序,系在该第2时段前之第4时段将该气体控制为较该第2流量值要小之第4流量值,并供给包含该气体之该处理气体;该第1、第2、第3以及第4时段系以既定顺序来周期性地反覆进行。
申请公布号 TW201535569 申请公布日期 2015.09.16
申请号 TW104104320 申请日期 2015.02.10
申请人 东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 水谷智之 MIZUTANI, TOMOYUKI;辻本宏 TSUJIMOTO, HIROSHI
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林秋琴陈彦希
主权项
地址 日本 JP