蚀刻底层凸块金属化层及产生的装置;ETCHING OF UNDER BUMP METALLIZATION LAYER AND RESULTING DEVICE

摘要

本发明揭露用于湿蚀刻UBM层的方法及产生的装置。实施例可包括：在具有至少两金属层的晶圆上图案化金属凸块；曝露该晶圆至第一酸溶液，以移除由图案化该金属凸块所曝露出的该两金属层中的一部分第一层；以及曝露该晶圆至第二酸溶液，以移除藉由图案化该金属凸块与曝露该晶圆至该第一酸溶液所曝露出的该两金属层中的一部分第二层，其中，藉由移除该第一金属层及该第二金属层的该部分所形成在该金属凸块下面的底切系少于1.5微米。; exposing the wafer to a first acid solution to remove a portion of a first of the two metal layers exposed by the patterning of the metal bumps; and exposing the wafer to a second acid solution to remove a portion of a second of the two metal layers exposed by the patterning of the metal bumps and the exposure of the wafer to the first acid solution, wherein an undercut below the metal bumps, formed by removal of the portions of the first and second metal layers, is less than 1.5 micron.